ЭЛЕМЕНТЫ СОВРЕМЕННОЙ ИНФОРМАЦИОННОЙ
ТЕХНОЛОГИИ
В
нашем журнале эта рубрика впервые появилась в № 8 2006 г. Она
предназначена для краткого представления новых элементов современной
информационной технологии (ИТ), новых терминов и понятий в этой сфере. Среди
главных причин, обусловивших открытие рубрики, – размытость сведений о новациях
в области ИТ по большому количеству источников (как традиционных, так и
электронных); терминологические проблемы, возникающие у библиотечных и
информационных работников в процессе обработки документных источников по ИТ и
обслуживания пользователей и, конечно, беспрерывные, стремительные изменения и
постоянное появление новинок в сфере ИТ.
Рубрику
ведет автор словаря-справочника по информатике [1] – профессор Ф. С. Воройский; он систематически
отслеживает появление новинок и изменений в сфере ИТ по всем новым поступлениям
литературы в фонд ГПНТБ России и в Интернете.
Редколлегия
УДК 004.33
Ф. С. Воройский
Новые и разрабатываемые виды памяти ЭВМ
В сфере самых новых разработок средств хранения данных, не нашедших
отражения в последнем (2006 г.) издании словаря-справочника «Информатика»
[1], наиболее существенные изменения
в последнее время происходят в области создания устройств, альтернативных
флэш-, а также – дисковой памяти. И те и другие уже начали появляться на рынках
вычислительной техники и могут вскоре из разряда перспективных и экзотических
разработок перейти в состав основных средств хранения данных.
Разработку новых видов памяти, альтернативных существующим «флэшкам»,
ведут многие крупнейшие компании, включая IBM,
HP, Mitsubishi, Motorola, NEC, Toshiba
и др.
Наиболее перспективными направлениями считаются: Ferroelectric
RAM (FRAM), Magneto-Resistive
RAM (MRAM), Nanotube RAM (NRAM) и Ovonic
Unified Memory (OUM). Все они находятся на разных стадиях готовности
к массовому использованию, и если продажу первых образцов памяти на нанотрубках
обещают
начать в 2007 г., то несколько видов MRAM уже представлены
рядом компаний.
MRAM (Magneto-Resistive
RAM, Magnetic RAM) – «Магниторезистивная
память», или «Магниторезистивное ОЗУ»
– однокристальная полупроводниковая оперативная память, при производстве
которой используются магнитный материал (часто применяемый в магнитных считывающих
головках) и переход с магнитным туннелированием – MTJ (Magnetic Tunnel Junction).
В основу современной конструкции MRAM положена концепция, разработанная
немецким физиком Андреасом Нейем (Andreas
Ney) и его коллегами из Института твердотельной электроники им. Пауля Друде
(ФРГ), которая опубликована в октябрьском номере 2003 г. журнала «Nature». Авторы предложили использовать
так называемые программируемые логические элементы на основе MRAM-памяти.
Вычислительное устройство состоит из логических элементов «И», «ИЛИ», «И-НЕ» и
«ИЛИ-НЕ».
Устройство памяти состоит из элементов, у каждого из которых
два независимых входа и возможны четыре начальные состояния. Элемент
MRAM-памяти содержит два разделенных промежутком магнитных слоя. Если магнитные
моменты обоих слоев параллельны, электрическое сопротивление всего элемента
небольшое, это отвечает состоянию «1». Если антипараллельны – сопротивление
велико, и это соответствует состоянию «0». Направления магнитных моментов можно
менять на противоположные, пропуская электрический ток по каждой из линий.
Независимость входов для каждого из магнитных слоев дает возможность иметь четыре
начальных состояния: «00», «01», «10» и «11», гдe «00» отвечает состоянию с
отрицательной величиной тока через оба магнитных слоя, «01» – отрицательному
току через слой А и положительному через слой В, и т.д. При этом можно
осуществлять логические операции «и» и «или». Если добавить еще один вход по
току, то появится возможность выполнения логических операций «и-не» и «или-не».
Производительность MRAM зависит от структуры и состава MTJ.
Исследования, проведенные Renesas
Technology Corp. совместно с Mitsubishi
Electric, заключались в изучении зависимости величины магниторезистивного
соотношения от резистивной поверхности перехода. Продемонстрированные в
2004 г. прототипы MRAM имеют микроархитектуру 1T-1MTJ (1 транзистор и 1 переход на ячейку памяти); размер
магниторезистивного туннеля одного элемента – TMRE (Tunnel Magneto-Resistance Element) тогда составлял 0,26x0,44
µм²; размер ячейки памяти – 0,81 µм².
В 2003 г. японская компания NEC представила на
конференции IEEE в Сан-Франциско экспериментальную микросхему MRAM,
изготовленную по 0,25-мкм КМОП-технологии и 0,6-мкм технологии MRAM. Структура
ячейки памяти включала числовую шину (word
line), разрядную шину (bit line)
и магнитный туннельный переход (MTJ).
Благодаря особой конструкции массива ячеек памяти инженерам NEC удалось
добиться заметного снижения паразитных
шумов, что привело к улучшению соотношения сигнал/шум во время операции
чтения данных и одновременно позволило уменьшить размеры чипа на 20%.
В 2004 г. компания Renesas Technology
продемонстрировала прототип чипа 1 Мбит MRAM, выполненного с использованием
0,13-мкм CMOS технологического процесса. Его характеристики: тактовая частота –
143 МГц при напряжении питания 1,2 В; количество циклов перезаписи – свыше
1 трлн (при Т=150°С без ухудшения характеристик); время чтения данных из ячейки
– 5,2 нс.
В последние годы компании Toshiba
и NEC разрабатывают MRAM совместно.
Согласно опубликованным в феврале 2006 г. данным, им удалось создать новое
изделие, в котором объединены максимальная плотность и наилучшие скоростные
показатели операций чтения и записи, достигнутые для MRAM. Его характеристики:
объем памяти – 16 Мбит; скорость чтения и записи – 200 Мбит/с (время цикла – 34
нс); напряжение питания – 1,8 В, что делает ее пригодной для мобильных
устройств с батарейным питанием. Основная трудность, с которой столкнулись
разработчики, была связана с повышением скорости чтения. Цепь, генерирующая
магнитное поле для записи, замедляла операцию чтения из ячейки памяти. Решение
найдено в разделении цепей чтения и записи. Помимо увеличения скорости работы
такой прием позволил снизить эквивалентное сопротивление на 38% за счет «разветвления»
тока записи.
В июле 2006 г. компания Freescale Semicondactor (до 2004 г. – подразделение корпорации
Motorola) представила первые промышленные образцы 4-Мбитных чипов MRAM –
MR2A16A, обогнав таких гигантов ИТ-индустрии, как HP и IBM, которые планировали
начать их выпуск еще в 2004 г. Промышленное производство начато на фабрике
в Аризоне (см. <http://www.htcom.ru/news-pc/newsd-19997/>). Себестоимость
производства (25 долларов США) пока еще очень велика, что, однако, считается
быстро преодолимым.
Основные достоинства MRAM, наряду с достигнутым самым
высоким быстродействием: практически неограниченное число допускаемых циклов
записи/считывания (например, флэш-накопители имеют ограничения в этом плане) и
сохранение записей при отключении питания. Это позволяет ей претендовать на
роль универсальной памяти, объединяющей свойства DRAM, SDRAM и флэш-памяти.
Поэтому предполагается, что MRAM в перспективе смогут заменить не только
современные устройства оперативной памяти, но и жесткие диски, в результате
чего архитектура ПК существенно упростится. Cогласно данным аналитической
компании iSuppli,
объем рынка универсальной памяти к 2019 г. может составить более $76 млрд
(Подробнее см. [2-8].)
FeRAM, FRAM (Ferroelectric RAM) – «Сегнетоэлектрическая
RAM», или «Ферроэлектрическое ОЗУ» – однокристальная оперативная память,
использующая способность ферроактивных сегнетоэлектриков менять свои физические
свойства под действием электрического поля.
Кратко объяснить механизм действия FeRAM можно на примере одного
из наиболее распространенных семейств сегнетоэлектриков – титаната свинца PZT (Perovskite lead Zirconate Titanate) с
общей формулой
Pb(ZrxTi1-x)O3. При воздействии на слой PZT
положительного электрического заряда происходит его положительная поляризация,
результатом которой является переход в состояние, соответствующее значению
"0". При действии отрицательного электрического заряда происходит
обратный переход, соответствующий значению "1". При этих переходах
материал сегнетоэлектрика меняет свои физические свойства, а с ним и элемент,
выполненный из этого материала. Возникает петля гистерезиса, в концах которой
положения "0" и "1" по энергетическому значению далеко
разнесены, что позволяет произвести их однозначную идентификацию.
Работающий образец FeRAM впервые получен в 1992 г.
компанией Symetrix. С тех пор эта
технология вызывала пристальное внимание со стороны научных кругов, а с
1996 г. – и коммерческих. Так, с 1992 по 2002 г. по этой теме выдано
свыше 360 патентов, причем около 120 патентов только за 2002 г.
Составляющими элементами FeRAM являются сегнетоэлектрические транзисторы (ferroelectric transistor) и конденсаторы
(ferroelectric capacitor), обладающие
переменными ферромагнитными свойствами. Основным материалом для них служат
смешанные полиметаллические оксиды, спекаемые в сегнетоактивные керамики. К ним
относится и PZT. К основе PZT могут добавляться легирующие добавки из разных
металлов и их оксидов, например: IrO2, Pt, Au, Ag и т.п. Небольшие
примеси указанных добавок могут существенно влиять на свойства PZT как в
положительную, так и отрицательную стороны.
Ведутся активные поиски по подбору материалов, обладающих наилучшими
свойствами для создания конденсаторов и транзисторов на базе ферромагнитных
сегнетоэлектриков. Исследования свойств этих соединений на предмет их
сегнетоэлектрической активности производились компанией Ramtron, которая запатентовала несколько разновидностей FeRAM.
Впоследствии лицензию на разработки Ramtron
купила компания Toshiba – в настоящее
время один из крупнейших мировых производителей FeRAM.
Массовое производство FeRAM компанией Fujitsu началось в 1999 г. К марту
2006 г. произведено и реализовано несколько сот миллионов микросхем (как в
сборке, так и отдельных чипов, в том числе чипов FeRAM плотностью 1 Мбит). В
этих изделиях использовался материал, состоящий из висмута, железа и кислорода,
которые образуют псевдокубическую структуру, называемую перовскит в честь русского минералога графа Л. А. Перовского
(1792–1856).
В дальнейшем компании Fujitsu
Laboratories и Fujitsu Limited
совместно с Токийским технологическим институтом объявили о создании нового
материала для ферромагнитной памяти. Он представляет собой модифицированный
композит феррита висмута (BiFeO3, или BFO). По словам разработчиков, это
позволило увеличить в 5 раз объем хранимой информации по сравнению с
предыдущими поколениями FeRAM. Новые модули памяти будут производиться по 65 нм
технологическому процессу.
Использование нового материала позволит записывать до 256
Мбит в одну ячейку памяти. Предполагается также, что новая FeRAM обеспечит
низкое энергопотребление и высокую скорость доступа, что необходимо для
мобильных устройств, таких, как чиповые карты, которые должны быть компактными,
простыми в использовании и одновременно хорошо защищенными. Поставка опытных
образцов намечена на 2009 г. Дальнейшее производство FeRAM планируется
осуществить на основе феррита висмута с добавками марганца. Предполагается, что
данный тип памяти будет актуален до 2014 г.
Кроме того, компании Fujitsu
и Seiko Epson объявили о начале совместной
работы над новой технологией FRAM – она может стать стандартом для
энергонезависимой памяти нового поколения. Обе компании планируют развивать
FRAM-технологии, которые станут доступны уже в 2006 г. В частности, ими
будут вестись работы по оптимизации циклов чтения/записи памяти нового образца.
Согласно договору компании Fujitsu и Seiko Epson передадут друг другу свои
технологии, относящиеся к процессам миниатюризации и обработки материалов для
построения компонентов FRAM-памяти, что должно ускорить процесс разработки
окончательного продукта.
Fujitsu и Seiko предсказывают высокий рыночный
спрос на новую энергонезависимую FRAM-память с низким энергопотреблением и высокими
скоростями операций чтения/записи, которую они вскоре рассчитывают предложить.
(Подробнее см. [2, 9–11].)
PCM (Phase Change Memory, Phase Cange RAM), OUM (Ovonic
Unified Memory), а также PRAM
– «Память с изменением фазового состояния»:
технология производства энергонезависимой памяти, разработанная фирмой Ovonyx. В ее основе используются
свойства веществ, например халькогенида
(chalcogenide), способных под воздействием нагрева и электрических полей
производить фазовый переход с непроводящего аморфного состояния (соответствует
логической «1») на проводящее кристаллическое (соответствует логическому «0») и
наоборот. Ранее халькогениды применялись преимущественно в перезаписываемых
оптических носителях, где использовалась их способность к изменению не только
электрических, но и оптических свойств.
До сих пор коммерческая реализация PCM была затруднена из-за
проблем с получением достаточно качественного материала и с энергопотреблением.
По сведениям издания «3Dnews»,
возрастание интереса к этому типу памяти связано с тем, что PCM лучше подходит
для применения вместе с более «тонкими» литографическими техпроцессами, чем
динамическая или флэш-память.
Ожидается, что PCM в перспективе сможет заменить собой существующие
динамические ОЗУ (см. «DRAM»).
Лицензионные соглашения на технологию OUM заключили компании Intel, STMicroelectronics и Elpida.
Первые две компании с начала 2000 г. пытались использовать обратимый
процесс фазового перехода из аморфного в кристаллическое состояние сплава
сурьмы и германия. Однако ни одна из этих компаний пока не достигла полностью
желаемых результатов, в частности Intel
– создания чипов OUM емкостью 4 Мбит. Тем не менее STMicroelectronics представила прототип 128 Мбит чипа PCM,
изготовленный по 90 нм технологии. В материалах, подготовленных компаниями,
указываются такие преимущества нового типа памяти, как малая площадь ячейки,
хорошие электрические характеристики и высокая надежность.
Elpida планирует
использовать технологию OUM для дальнейших исследований и разработок памяти
нового образца, которую будет отличать от DRAM более высокая производительность
и низкий уровень энергопотребления, необходимые для новых моделей мобильных
устройств (телефонов, КПК, ноутбуков и др.). Коммерческие планы реализации
проекта пока еще не намечены. В некоторых публикациях высказывается предположение,
что массовое производство OUM может начаться только в следующем десятилетии.
Одновременно работы, связанные с использованием технологии
производства OUM, выполняются и другими организациями. Так, на Международной
конференции по электронным устройствам (13 дек. 2005 г., Вашингтон)
компании Hitachi и Renesas Technology Corp. сообщили о создании
прототипа низко-силовых PCM, которые могут работать при напряжении 1.5 В и
низком потреблении тока ~100 мкA, что на ~50% ниже энергопотребления предыдущих
изделий этих же фирм. Для производства PCM они использовали
германий-сурьма-теллуровые (GeSbTe)
пленки с кислородными добавками, которые оптимизируют сопротивление
фазоинверсной пленки и подавляют поток чрезмерно высоких уровней токов.
Технологией предусмотрена возможность уменьшения размеров стоков полупроводниковых
транзисторов, что позволяет сокращать как размеры ячеек, так и схемы
управления.
По мнению разработчиков, новая версия PCM – по сравнению с
существующими DRAM – предпочтительна благодаря более высокой скорости записи и
считывания данных, хорошей программируемости, малым размерам и способности к
высокоуровневой интеграции. Все это создает возможности их перспективного
использования в микроконтроллерах следующего поколения для вложенных
приложений, таких, как информационные устройства, домашнее электротехническое и
автотранспортное оборудование, управляющие системы и т.д.
Исследованиями и разработками в данной области занимаются и
многие другие крупные компании, включая IBM,
Intel, Infineon, Macronix и др. (Подробнее см. [2, 8,
12–15].)
NRAM (Nanotube
RAM) – технология производства энергонезависимой памяти на
основе использования углеродных нанотрубок (см. «CNT»). Принцип ее работы
заключается в следующем: под действием электрических зарядов позиция углеродных
нанотрубок, находящихся в виде суспензии над электродами, может меняться в двух
положениях, каждое из которых определяет значение бита данных, записанного в
память. После отключения питания трубки, удерживаемые на молекулярном уровне,
остаются в заданном положении.
Одной из первых компаний, заявивших о проводимых ею
разработках NRAM, стала Nantero.
Считается, что благодаря такому решению компьютер будет загружаться практически
мгновенно, потребляя при этом меньше электроэнергии и выделяя существенно
меньше тепла. Выпуск готовой продукции с использованием CNT планируется на
2007 г.[1] По заявлению
президента компании Грэга Шмергеля (Greg
Schmergel), это устройство памяти должно объединить скорость SDRAM со
способностью флэш-памяти сохранять данные при отключенном питании.
Жизненный цикл памяти этого типа будет многократно превышать
то количество циклов записи/стирания, которое свойственно флэш-накопителям, а
также иметь более высокое быстродействие. Кроме того, обещается полная
совместимость с существующими материнскими платами. К сожалению, точных данных
о плотности и скоростных характеристиках чипов CNT-памяти не приведено, однако
заявлено о 2 млрд циклов чтения/записи в секунду. В настоящий момент компания
уже имеет рабочие образцы, проходящие испытания [16].
PFRAM (Polimer Memory, Polimer Ferroelectric
RAM) – «Полимерная память»,
или «Полимерная сегнетоэлектрическая
память»: вид энергонезависимой памяти, основанной на использовании свойств
сегнетоэлектрических полимеров иметь под действием электрического поля два
стабильных состояния поляризации. Это позволяет программировать память путем
изменения поляризации пленки, заключенной между взаимно перпендикулярными
металлическими шинами. Пленка полимера может содержать и тонкопленочные
транзисторы схем управления. Указанное свойство открыто специалистами Thin Film Electronics (дочерней фирмы
шведской компании Opticom), впервые
предложившей полимерную память еще в 1994 г.
Возможность формировать многослойные структуры полимерной памяти
позволяет получить ранее недостижимый объем памяти и обеспечить оптимальное
использование ячеек памяти. Если для функционирования обычной кремниевой схемы
памяти объемом 1 Гбит требуется 1,5–6,5 млрд транзисторов, то для такого же
объема памяти PFRAM нужно только
500 тыс. При этом объем полимерной памяти размером с кредитную карту
эквивалентен объему 400 тыс. CD-дисков, 60 тыс. DVD или объему устройства,
хранящего достаточно данных для воспроизведения в течение 126 лет музыки в
формате MPEG. Причем увеличение емкости памяти за счет нанесения дополнительных
полимерных пленок не влечет за собой существенного увеличения потребляемой
мощности (энергия считывания или записи одного разряда данных не превышает 10-9
Дж). По оценкам аналитиков фирмы Web-Feet
Research, удельный объем памяти PFRAM, отнесенный к одному квадратному
сантиметру площади, почти в 20 раз больше, чем у обычной флэш-памяти.
Считывание данных PFRAM может быть разрушающим и неразрушающим.
В первом случае значения времени считывания и записи сопоставимы. Значение
времени в зависимости от обработки полимера изменяется в пределах от нескольких
наносекунд до нескольких микросекунд. В настоящее время усилия разработчиков
направлены на уменьшение этого значения. В режиме неразрушающего считывания
PFRAM по быстродействию сопоставимо с ОЗУ. К тому же архитектура памяти
обеспечивает параллельную обработку слов длиной в мегабиты, вместо 64- и
128-бит слов, с которыми работают современные полупроводниковые микросхемы ЗУ.
По утверждению разработчиков, благодаря простоте изготовления удельная
стоимость чипов памяти в пересчете на мегабит будет столь мала, что они смогут
использоваться как одноразовые изделия.
Специалисты корпорации Intel,
ведущие разработку этого типа памяти совместно с Thin Film Electronics, считают, что PFRAM найдут применение в
картах памяти цифровых фотокамер и другом бытовом оборудовании. Основная
технологическая проблема, задерживающая массовое производство PFRAM, связана с
обработкой термочувствительного материала в условиях полупроводникового
производства, поэтому начало массового производства этого вида памяти ожидается
не ранее 2010 г. [8, 17].
Из новейших разработок оптической дисковой памяти наиболее
интересными, по нашему мнению, являются VCDH,
VMD-ROM и SVOD, а также гибридный и твердотельный (SSD) накопители:
VCDHD (Versatile Compact Disc High Density) – «Разносторонний компакт-диск высокой
плотности»: альтернатива DVD-дисков компании «Фортмедиа», отличающаяся
малой массой – всего 8 г. и толщиной –
0,7 мм. Диски обладают повышенной прочностью на изгиб, а их рабочая поверхность
защищена специальными выступающими бороздками и лаком, предохраняющими от
царапин. Это позволяет класть диски на стол, а также транспортировать их в
простых конвертах. Первые VCDHD-диски, выпущенные в 2006 г., имеют
одностороннюю и стандартную для DVD–ROM емкость записи – 4,7 Гбайт. Однако
«Фортмедиа» планирует производить также диски с двусторонней записью емкостью
10 Гбайт [18].
VMD–ROM (Versatile Multilayer Disk) – новая
технология производства и формат многослойных компакт-дисков. Разработана
компаниями NME (New Medium Enterprises) и E-World
на основе красного лазера. Это позволяет обеспечить более низкую себестоимость
воспроизводящих устройств по сравнению с Blu-ray
Disk и HD-DVD.
VMD имеют такие же размеры, как и DVD. Толщина каждого слоя,
формируемого на пластиковой подложке, составляет 20–30 мкм. По заявлению
разработчиков, количество слоев на диске может быть до 20. Емкость записи на
каждом слое составляет ~5 Гбайт. В настоящее время возможен серийный выпуск
ROM-дисков емкостью до 40 Гбайт.
На выставке «CeBIT 2006» разработчики продемонстрировали
прототип бытового видеоплейера EVD/VMD, позволяющего воспроизводить носители
VMD емкостью 20 и 40 Гбайт, а также CD- и DVD-диски. Поставки плеера
запланированы на III кв. 2006 г. Розничная цена составляет около 150
долларов США. (Подробнее см. [19].)
SVOD (Stacked Volumetric Optical Disc) –
многослойный оптический диск, разработанный компанией Hitachi Maxell. Конструкция диска отличается от VMD–ROM тем, что он
представляет собой не монолитный многослойный, а сборный оптический диск,
состоящий из множества очень тонких (~92 мкм) отдельных дисков. Диаметр диска
остался прежним (120 мм).
Представленный
осенью 2006 г. на выставке «CEATEC» прототип устройства состоял из 100
ультратонких DVD с суммарной емкостью 940 Гбайт.
В процессе считывания или записи в приводе SVOD (эти
операции можно производить с использованием стандартной оптической и электронной
систем обычных DVD-приводов) используется опорный диск, изготовленный из
стекла, на который переносится тонкий гибкий диск (подобно пластинке в старом
граммофоне) и крепится магнитным зажимом. Смена одного гибкого диска на другой
в картридже производится в течение 10 с. В приводе предусмотрен емкий модуль
буферной памяти, позволяющий обеспечить непрерывность процессов чтения и записи
данных. Разработчики утверждают, что с переходом на использование
«сине-фиолетового» лазера можно повысить емкость каждого гибкого диска до 50
Гбайт, а суммарную емкость носителя – до 10 Тбайт [20].
Гибридный накопитель на жестком диске (Hybrid
Hard Disk Drive, Hybrid Storage) – наименование комбинации НЖМД (см. ранее)
с другим видом накопителя, например флэш-памятью. Это позволяет заметно повысить быстродействие накопителей, сократить их
энергопотребление, увеличить долговечность и ударопрочность, что особенно важно
для мобильных ПК.
Примером создания подобных гибридных накопителей является технология
ReadyDrive, разработанная и уже
реализованная компаниями Samsung
Semicondactor и Seagate Technology
в гибридных устройствах со встроенным магнитным диском размером в 1,5” и
256-Мбайтной флэш-памятью.
6 января 2007 г. на конференции в Лас-Вегасе,
посвященной перспективным системам хранения данных, создана организация – Hybrid Storage Alliance. Ееоснователямистали Hitachi, Samsung, Seagate Technology, Fujitsuи Toshiba. (Подробнее
см. [21–23].)
Накопитель на
твердотельном диске, накопитель на силиконовом диске[2],
накопитель на SSD (Solid State Disk Drive) – новый и
перспективный вид накопителя, выполненного по микроэлектронной технологии производства
флэш-памяти типа NAND. Он является альтернативой НЖМД (особенно для широкого
класса мобильных и ультрамобильных устройств). О производстве этих дисков под
кодовым названием Robson сообщила корпорация
Intel на одном из своих региональных
форумов для разработчиков (IDF) в
2005 г. Первые КПК с SSD-накопителями начали выпускать в 2006 г.
такие фирмы, как Samsung, Sony, Fujitsu и др., однако для массового
спроса стоимость этой продукции была слишком высокой.
В начале 2007 г. продажу SSD-накопителей анонсировали
многие фирмы; среди ведущих: San Disk
– 2,5” SSD, емкостью 32 Гбайта с интерфейсом SATA, стоимостью от 350 до 600
долларов; TDK – диски серии GBDisk RA6 емкостью до 8 Гбайт,
совместимые с набором команд SMART
(для упрощения работы с поврежденными блоками памяти), стоимостью ~800
долларов; Super Talenet Technology –
набора SSD-накопителей с форм-факторами 1,8” (емкостью до 32 Гбайт), 2,5” (до
64 Гбайт) и 3,5” (до
128 Гбайт), и ряд др. Основным недостатком SSD-накопителей пока еще остается их
высокая стоимость, которая, однако, заметно уменьшается (в течение года до двух
раз). Этому, в частности, способствует переход на технологию производства
многоуровневых ячеек (multi-level-cell),
обеспечивающую большую плотность записи, а также производительность при чтении
и записи данных (в настоящее время применяется технология одноуровневых ячеек)
[24].
Список использованных источников
1. Воройский Ф. С. Информатика.
Энциклопедический систематизированный словарь-справочник: введение в
современные информационные и телекоммуникационные технологии в терминах и
фактах.– М.: Физматлит, 2006. – 768 с.
2. Денисов О. Флэш-память: мобильные
накопители / О. Денисов, К. Яковлев // PC Magazine (Russian edition).
– 2007. – № 1 (187). – С. 42–51.
3. Новости. Почти забытая память //
Компьютерра. – 2006.– № 27–28 (647–648). – С. 05.
4. MRAM-память станет элементом логических
устройств (03.10.2003 г.) [Электрон. ресурс] – Режим доступа: http://www.cnews.ru/news/line/index.shtml?2003/10/03/149524.
– Загл. с экрана.
5. Карташев И. NEC сообщила о
значительных достижениях в области создания магнитной памяти
(13.02.2003 г.) [Электрон. ресурс] – Режим доступа: http://www.ixbt.com/news/all/index.shtml?05/51/39.
– Загл. с экрана.
6. Toshiba и NEC повышают плотность и
скорость работы памяти MRAM (07.02.2006 г.) [Электрон. ресурс] – Режим
доступа: http://www.ixbt.com/news/all/ index.shtml?05/51/39.
– Загл. с экрана.
7. Renesas демонстрирует MRAM для SoC
(15.12.2004 г.) [Электрон. ресурс] – Режим доступа: http://www.ixbt.com/news/news.php?id=111783.
– Загл. с экрана.
8. Асмаков С. Перспективные
технологии: итоги и прогнозы / С. Асмаков, Н. Елманова,
С. Пахомов, А. Прохоров, О. Татарников // КОМПЬЮТЕР ПРЕСС. –
2007. – № 1 – С. 4–35.
9. Будущие технологии памяти: FeRAM
изнутри (20.02.2003 г.) [Электрон. ресурс] – Режим доступа: http://www.3dnews.ru/cpu/feram-memory/.
– Загл. с экрана.
10. Fujitsu,
Epson: разработка новой FRAM технологии (16.06.2005 г.) [Электрон. ресурс]
– Режим доступа: http://www.ixbt.com/news/news.php?id=118398.
– Загл. с экрана.
11. Новый материал в 5 раз повысит
плотность памяти FeRAM (14.08.2006 г.) [Электрон. ресурс] – Режим доступа:
http://www.dialog-21.ru/news/digest.asp?id=59317.
– Загл. с экрана.
12. Объединение усилий Elpida и Ovonyx для
создания памяти с фазовым переходом (04.02.2005 г.) [Электрон. ресурс] –
Режим доступа: http://www.ixbt.com/news/news.php?id=113332.
– Загл. с экрана.
13. PRAM – новый тип памяти
(20.06.2006 г.) [Электрон. ресурс] – Режим доступа:
http://new-www.net/news/article_5173.html. – Загл. с экрана.
14. Hitachi
and Renesas Technology Develop Low-Power MOS Phase-Change Memory Cells for
On-Chip Memory of Microcontrollers (13.12.2005 г.) [Электронный ресурс] – Режим
доступа: http://www.hitachi.ua/New/cnews/051213.html.
– Загл. с экрана.
15. Баткин А. IBM, Infineon и Macronix
объединяются для разработки PCM-памяти (26.05.2005 г.) [Электрон. ресурс]
– Режим доступа: http://www.hardburg.ru/news/
show_news_html?cur_news=3279. – Загл. с экрана.
16. Асмаков С. Перспективные
технологии: итоги и прогнозы / С. Асмаков, Н. Елманова,
С. Пахомов, А. Прохоров, О. Татарников // КОМПЬЮТЕР ПРЕСС. –
2007. – № 1 – С. 4–35.
17. Nantero: оперативная память на
нанотрубках в продаже уже в 2007 году (06.02.2006 г.) [Электрон. ресурс] –
Режим доступа: http://www.ixbt.com/news/news.php?id=55063.
– Загл. с экрана.
18. Полупроводниковая энергонезависимая
память // Proceedings of the IEEE, 2003. – v.91. –
N 5. – p.703712. [Электрон. ресурс] – Режим доступа:
http://www.zolshar.ru/84455.html. – Загл. с экрана.
19. VCDH – альтернатива DVD // МИР ПК. – 2006.
– № 11. – С. 14.
20. Асмаков С. Оптические накопители
// КОМПЬЮТЕР ПРЕСС. – 2006. – № 5 – С. 45–47.
21. Асмаков С. Оптические накопители:
настоящее и будущее // КОМПЬЮТЕР ПРЕСС. – 2007. – № 1 – С. 71–75.
22. Митчелл Р.
Гибридный «ускоритель» // Computerworld. – 2006. – № 32 (529) – С. 18, 19.
23. Праймсберг К. Гибридные диски
находят поддержку // PCWEEK (Russian Edition). – 2007. – № 8 (566).– С. 17.
24. Кондратьев И. На повестке дня –
твердотельные диски // PCWEEK (Russian Edition). – 2007. – № 9 (567).– С. 8,
38.
|
